ROHM RAF040P01 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4 A 800 MW, 3-Pin SOT-323
About The 2V, Höhe: 0.3V, Gate-Source Spannung max
ROHM RAF040P01 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4 A 800 mW, 3-Pin SOT-323, Gehäusegröße: SOT-323T, Drain-Source-Widerstand max.: 68 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.3V, Gate-Source Spannung max.: –8 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 0.82mm, MPN: RAF040P01TCL
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM RAF040P01 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4 A 800 MW, 3-Pin SOT-323
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Specifications of ROHM RAF040P01 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4 A 800 MW, 3-Pin SOT-323 | |
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