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Wurth Elektronik WE-HCF Drosselspule, 33 μH 12A Mit MnZn-Kern, 2013 Gehäuse 21.8mm / ±15%, 12MHz

About The : +125°C, MPN: 7443633300.8mm / ±15%, 12MHz, Länge: 21

Wurth Elektronik WE-HCF Drosselspule, 33 μH 12A mit MnZn-Kern, 2013 Gehäuse 21.8mm / ±15%, 12MHz, Länge: 21.5mm, Tiefe: 21mm, Höhe: 14mm, Abmessungen: 21.5 x 21 x 14mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 11.4mΩ, Kernmaterial: Ferrit, Induktivitätsbauweise: Flachdrahtwicklung, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: 7443633300

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

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SMC CG1 Pneumatikzylinder doppeltwirkend, Bohrung Ø 80mm / Hub 150mm, Ausführung: Zweifach, Länge: 332mm, Endlagendämpfung: Gummi, Abmessungen: 80 (Dia.) x 332mm, Absoluter Druck (max.): 1.5MPa, Betriebstemperatur (max.): +60°C, Betriebstemperatur (min.): -10°C, Gewicht: 2kg, MPN: CDG1BN80-150
    • WIKA 232.50 23X.50 Druckmessgerät Prozessanschluss hinten Analog 0bar → 10bar, Ø 160mm G1/2, Manometertyp: Skala, MPN: 8617716
    • Festo SIED M30 Näherungssensor Induktiv, Gewinderohr 12,15 mm 20 →320 V, IP67, Versorgungsspannung: 20 - 320 V, MPN: SIED-M30NB-ZO-K-L
    • MikroElektronika Entwicklungskit analog für DAC104S085, MCP1501, DAC 6 Click Zusatzplatine, Analogfunktion: 10-bit-DAC, MPN: MIKROE-4206

    MikroElektronika Entwicklungskit analog für DAC104S085, MCP1501, DAC 6 Click Zusatzplatine, Analogfunktion: 10-bit-DAC, MPN: MIKROE-4206

    MikroElektronika Entwicklungskit analog für DAC104S085, MCP1501, DAC 6 Click Zusatzplatine.

    • MENNEKES PowerTOP Leistungssteckverbinder Stecker Rot 4P, 400 V / 32A, Kabelmontage IP 67, Gehäuseausrichtung: Gerade, Anschlussart: Schraubklemme, Kabelquerschnitt: 2.5 → 6mm², Betriebstemperatur (max.): +55°C, Betriebstemperatur min.: -25°C, Niederspannung: Nein, MPN: 3841
    • Samsung V-NAND, USB-Flash-Laufwerk, 256 GB, USB 3.1, Keine Verschlüsselung, Bar Plus, Industrieausführung, 140-2 Level 3, Industrieausführung: Ja, MPN: 10293421

    Samsung V-NAND, USB-Flash-Laufwerk, 256 GB, USB 3.1, Keine Verschlüsselung, Bar Plus, Industrieausführung, 140-2 Level 3, Industrieausführung: Ja, MPN: 10293421

    1, Keine Verschlüsselung, Bar Plus, Industrieausführung, 140-2 Level 3.Samsung V-NAND, USB-Flash-Laufwerk, 256 GB, USB 3.

    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 600 mA 2 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 2,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 3mm, MPN: IRF5801TRPBF
    • Wurth Elektronik WE-HCF Drosselspule, 33 μH 12A mit MnZn-Kern, 2013 Gehäuse 21.8mm / ±15%, 12MHz, Länge: 21.5mm, Tiefe: 21mm, Höhe: 14mm, Abmessungen: 21.5 x 21 x 14mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 11.4mΩ, Kernmaterial: Ferrit, Induktivitätsbauweise: Flachdrahtwicklung, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: 7443633300
    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 600 mA 2 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 2,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 3mm, MPN: IRF5801TRPBF
    • Wurth Elektronik WE-HCF Drosselspule, 33 μH 12A mit MnZn-Kern, 2013 Gehäuse 21.8mm / ±15%, 12MHz, Länge: 21.5mm, Tiefe: 21mm, Höhe: 14mm, Abmessungen: 21.5 x 21 x 14mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 11.4mΩ, Kernmaterial: Ferrit, Induktivitätsbauweise: Flachdrahtwicklung, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: 7443633300