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Semikron IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.0V Max., 1200 V

About The , 1200 V, Konfiguration: Halbbrücke, MPN: SKM400GB12F4.0V max

Semikron IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.0V max., 1200 V, Konfiguration: Halbbrücke, MPN: SKM400GB12F4

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Semikron IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.0V Max., 1200 V

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Specifications of Semikron IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.0V Max., 1200 V

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Semikron IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.0V Max., 1200 V
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Panasonic ERJPA3,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 1.8kΩ ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERJPA3F1801V
    • Vishay RPH100 Dickschicht Lastwiderstand 47Ω ±5% / 100W, Planar Schraubanschluss, -55°C → +125°C, Temperaturkoeffizient min.: -150ppm/°C, Temperaturkoeffizient max.: +150ppm/°C, MPN: RPH100V47R00JB
    • Huco Kupplung, Balgkupplung, Außen-Ø 16mm / Bohrung 5mm x 23mm, Nenndrehmoment: 0.43Nm, Winkelversatz: 1°, Parallelversatz: 0.1mm, Axialversatz: 0.2mm, Balgmaterial: Edelstahl, MPN: 554.16.2020
    • Huco Kupplung, Balgkupplung, Außen-Ø 16mm / Bohrung 6mm x 23mm, Nenndrehmoment: 0.43Nm, Winkelversatz: 1°, Parallelversatz: 0.1mm, Axialversatz: 0.2mm, Distrelec Product Id: 30422833, Balgmaterial: Edelstahl, MPN: 554.16.2222
    • Huco Kupplung, Balgkupplung, Außen-Ø 16mm / Bohrung 3mm x 23mm, Nenndrehmoment: 0.43Nm, Winkelversatz: 1°, Parallelversatz: 0.1mm, Axialversatz: 0.2mm, Balgmaterial: Edelstahl, MPN: 554.16.1414
    • onsemi OP AMP; MONOLITHIC ; 44V SUPPLY; PDIP; 4.5 MHZ BANDWIDTH GAIN, MPN: MC34072DG

    onsemi OP AMP; MONOLITHIC ; 44V SUPPLY; PDIP; 4.5 MHZ BANDWIDTH GAIN, MPN: MC34072DG

    5 MHZ BANDWIDTH GAIN.onsemi OP AMP; MONOLITHIC ; 44V SUPPLY; PDIP; 4.

    • Semikron IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.0V max., 1200 V, Konfiguration: Halbbrücke, MPN: SKM400GB12F4
    • Vishay SU, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 6800μF ±20% / 6.3V dc, Ø 13mm x 25mm, +85°C, Kapazität: 6800µF, Spannung: 6.3V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Abmessungen: 13 (Dia.) x 25mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Lebensdauer: 3500h, Serie: 038 RSU, Leckstrom: 428 μA, Brummstrom: 1.88A, MPN: MAL203853682E3
    • Semikron IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.0V max., 1200 V, Konfiguration: Halbbrücke, MPN: SKM400GB12F4
    • Vishay SU, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 6800μF ±20% / 6.3V dc, Ø 13mm x 25mm, +85°C, Kapazität: 6800µF, Spannung: 6.3V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Abmessungen: 13 (Dia.) x 25mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Lebensdauer: 3500h, Serie: 038 RSU, Leckstrom: 428 μA, Brummstrom: 1.88A, MPN: MAL203853682E3