Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0098 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: BSC098N10NS5ATMA1
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Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6
Specifications of Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 | |
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