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Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO-220

About The Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 4

Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,07 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPP60R070CFD7XKSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO-220

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Specifications of Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO-220

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Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO-220
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ITT Cannon Hand Crimpzange für Sure-Seal-Steckverbinderkontakte, Zur Verwendung mit: Sure-Seal Connector Contacts, MPN: 121086-3332
    • TE Connectivity ER74 Wickel Widerstand 680Ω ±5% / 3W, Betriebstemperatur max.: +200°C, Temperaturkoeffizient: 0 → +60ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: ER74680RJT
    • Phoenix Contact UPS-CAP/24DC/20A/20KJ Energiespeicherelement Energiespeicher 3.6W, 24V dc, 24V dc / 20A, Serie: QUINT UPS, Eingangsspannung: 24V dc, Tiefe: 176mm, Höhe: 130mm, Breite: 150mm, Distrelec Product Id: 30309486, MPN: 2320380
    • Bahco SW 1 1/4Zoll Ringschlüssel doppelseitig Legierungsstahl, Länge 390 mm, Schraubenschlüsselart: Gabel-Ringschlüssel, Finish: Chrom, Doppelseitig: Ja, Metrisch oder zöllig: zöllig, Größe: 1 1/4 Zoll, MPN: 1952Z-1.1/4
    • Phoenix Contact 24 Polycarbonat Installationsdose Schwarz IP65, Ø 12 mm, BxTxH 111mm x 254mm x 180mm, Abmessungen (L x B x H): 111 x 254 x 180mm, MPN: 2403336
    • ITT Cannon TSTRECT Steckergehäuse LWL-Steckverbinder, 3-polig Gerade, MPN: TFR03PA10 / 121587-0011

    ITT Cannon TSTRECT Steckergehäuse LWL-Steckverbinder, 3-polig Gerade, MPN: TFR03PA10 / 121587-0011

    ITT Cannon TSTRECT Steckergehäuse LWL-Steckverbinder, 3-polig Gerade.

    • Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,07 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPP60R070CFD7XKSA1
    • TE Connectivity CRGP Dickschicht SMD-Widerstand 68kΩ ±1% / 0.33W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRGP0805F68K
    • Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,07 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPP60R070CFD7XKSA1
    • TE Connectivity CRGP Dickschicht SMD-Widerstand 68kΩ ±1% / 0.33W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRGP0805F68K