Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77,5 A, 3-Pin TO-247
About The : 4.Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77,5 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max
Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77,5 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,041 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPW60R041P6FKSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77,5 A, 3-Pin TO-247
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Specifications of Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77,5 A, 3-Pin TO-247 | |
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