STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11 A 109 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 380 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 6.6mm, MPN: STD13NM60ND
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STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11 A 109 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11 A 109 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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