TDK MLG1005S SMD-Mehrschicht-Induktivität, 9,1 nH 500mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 8GHz, Tiefe: 0.5mm, Abmessungen: 1 x 0.5 x 0.5mm, Gleichstromwiderstand max.: 300mΩ, Resonanzfrequenz max.: 3.8GHz, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: MLG1005S9N1JT000
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TDK MLG1005S SMD-Mehrschicht-Induktivität, 9,1 NH 500mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 8GHz
Specifications of TDK MLG1005S SMD-Mehrschicht-Induktivität, 9,1 NH 500mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 8GHz | |
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