Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,3 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 165 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.04mm, MPN: IRLML9303TRPBF
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Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,3 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23
Specifications of Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,3 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23 | |
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