Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,7 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23
About The Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,7 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: –16 V, +16 V, Länge: 3
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,7 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 92 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 3.04mm, MPN: IRLML0060TRPBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,7 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23
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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,7 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23 | |
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