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Eaton Bussmann, FLAT-PAC 3 SMD Induktivität, 4,7 μH 4.2A Mit Sinterstahl-Kern, FP3 Gehäuse 7.25mm / ±15%, 2MHz

About The 2A mit Sinterstahl-Kern, FP3 Gehäuse 7.: 40mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max

Eaton Bussmann, FLAT-PAC 3 SMD Induktivität, 4,7 μH 4.2A mit Sinterstahl-Kern, FP3 Gehäuse 7.25mm / ±15%, 2MHz, Tiefe: 6.7mm, Höhe: 3mm, Abmessungen: 7.25 x 6.7 x 3mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 40mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: FP3-4R7-R

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Eaton Bussmann, FLAT-PAC 3 SMD Induktivität, 4,7 μH 4.2A Mit Sinterstahl-Kern, FP3 Gehäuse 7.25mm / ±15%, 2MHz

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Specifications of Eaton Bussmann, FLAT-PAC 3 SMD Induktivität, 4,7 μH 4.2A Mit Sinterstahl-Kern, FP3 Gehäuse 7.25mm / ±15%, 2MHz

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