Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 30 A 214 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 75 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 16.13mm, MPN: IRFP250MPBF
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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 30 A 214 W, 3-Pin TO-247AC
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 30 A 214 W, 3-Pin TO-247AC | |
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