Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 71 A, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0079 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRFU7546PBF
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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 71 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 71 A, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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