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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 71 A, 3-Pin IPAK (TO-251)

About The Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 71 A, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0079 Ω, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 71 A, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0079 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRFU7546PBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 71 A, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 71 A, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 71 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
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