Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 16 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 10,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm, MPN: IRF9317TRPBF
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Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 16 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 16 A 2,5 W, 8-Pin SOIC | |
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