Texas Instruments LMZM33602 Evaluierungsplatine, Power Module EVM Strommodul

Name: Texas Instruments - Texas Instruments LMZM33602 Evaluierungsplatine, Power Module EVM Strommodul, Kit-Klassifizierung: Development Kit, MPN: LMZM33602EVM
Brand: Texas Instruments
SKU: ABDU-254956
Price: 67.91 EUR
Availability: InStock

About The Texas Instruments LMZM33602 Evaluierungsplatine, Power Module EVM Strommodul, Kit-Klassifizierung: Development Kit, MPN: LMZM33602EVM

Texas Instruments LMZM33602 Evaluierungsplatine, Power Module EVM Strommodul, Kit-Klassifizierung: Development Kit, MPN: LMZM33602EVM

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Raspberry Pi & Arduino & ROCK und Entwicklungstools > Entwicklungstools und Single Board Computer > Leistung & Entwicklungstools Motor und Robotics

Metcal Tip, Solder; 0.31 in.

OEP Impulstransformator 68Ω 68Ω 1.5dB 1:1 Durchsteckmontage, 18 x 12.5 x 18mm, Breite: 12.5mm, MPN: Z1612E

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Raspberry Pi & Arduino & ROCK und Entwicklungstools > Entwicklungstools und Single Board Computer > Leistung & Entwicklungstools Motor und Robotics

Specifications of Texas Instruments LMZM33602 Evaluierungsplatine, Power Module EVM Strommodul
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Instock	instock

Last Updated January 8th, 2025 07:39 am

Texas Instruments LMZM33602 Evaluierungsplatine, Power Module EVM Strommodul

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ABB SICHERUNGSAUTOMAT S201P-K25H01, MPN: 2CDO281001R0517

ABB SICHERUNGSAUTOMAT S201P-K25H01.

RS PRO Sicherungshalter für Hutschienenmontage Schwingungsdämpfend 15A 250V ac, Schwingungsdämpfend: Ja, Betriebsspannung: 250V ac, Schienen Typ: DIN 35 mm, Gehäusematerial: Phenol

RS PRO Sicherungshalter für Hutschienenmontage Schwingungsdämpfend 15A 250V ac.

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4.3 A 25000 mW, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 540 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRFU110PBF

3 A 25000 mW, 3-Pin IPAK (TO-251).Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4.

RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 510Ω ±5% / 0.125W ±200ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C

RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 510Ω ±5% / 0.125W ±200ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse.

Vishay SMD Diode, 800V / 8A, 3-Pin DPAK (TO-252), Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Recovery Gleichrichter, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 1.1V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 200A, MPN: VS-8EWS08STR-M3

Vishay SMD Diode, 800V / 8A, 3-Pin DPAK (TO-252).

OEP Impulstransformator 68Ω 68Ω 1.5dB 1:1 Durchsteckmontage, 18 x 12.5 x 18mm, Breite: 12.5mm, MPN: Z1612E

5 x 18mm.5dB 1:1 Durchsteckmontage, 18 x 12.OEP Impulstransformator 68Ω 68Ω 1.