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Thomas & Betts Connector, Straight Gland; 0.500 To 0.625 In.; 0.625 In.; 1/2 In.; 1.750 In.

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Thomas & Betts Connector, Straight Gland; 0.500 to 0.625 in.; 0.625 in.; 1/2 in.; 1.750 in., MPN: 2524

Elektromechanik & Automation und Kabel > Kabel und Drähte > Kabelverschraubungen und -befestigungen > Kabelverschraubungen

Thomas & Betts Connector, Straight Gland; 0.500 To 0.625 In.; 0.625 In.; 1/2 In.; 1.750 In.

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Specifications of Thomas & Betts Connector, Straight Gland; 0.500 To 0.625 In.; 0.625 In.; 1/2 In.; 1.750 In.

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Thomas & Betts Connector, Straight Gland; 0.500 To 0.625 In.; 0.625 In.; 1/2 In.; 1.750 In.
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    • Ceratech KYB500-K82B-US-C Tastatur QWERTY (UNS) Kabelgebunden Schwarz USB Touchpad, Kabelgestützt/Drahtlos: Verdrahtet

    Ceratech KYB500-K82B-US-C Tastatur QWERTY (UNS) Kabelgebunden Schwarz USB Touchpad, Kabelgestützt/Drahtlos: Verdrahtet

    Ceratech KYB500-K82B-US-C Tastatur QWERTY (UNS) Kabelgebunden Schwarz USB Touchpad.

    • onsemi N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 222 A 214 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 2,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V, MPN: FDP2D3N10C
    • onsemi N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 222 A 214 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 2,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V, MPN: FDP2D3N10C