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ABB Ekip G Hi-Touch LSIG Emax2 Lastkreisüberwachung 4, 1.6kA

About The ABB Ekip G Hi-Touch LSIG Emax2 Lastkreisüberwachung 4, 1.6kA, MPN: ABB1SDA072970R1

ABB Ekip G Hi-Touch LSIG Emax2 Lastkreisüberwachung 4, 1.6kA, MPN: ABB1SDA072970R1

Elektromechanik & Automation und Kabel > Sicherungen und Leitungsschutzschalter > Schutzschalter > Elektronische Überlastschalter

ABB Ekip G Hi-Touch LSIG Emax2 Lastkreisüberwachung 4, 1.6kA

Eaton MCB Leitungsschutzschalter Typ S, 2-polig 20A 230V, Abschaltvermögen 10 kA xEffect DIN-Schienen-Montage, Polzahl: 2P, Länge: 80mm, Breite: 35mm, Tiefe: 74mm, MPN: 278812 FAZ-S20/2

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 4 A 30 W, 3-Pin TO-220FP, Drain-Source-Widerstand max.: 1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRFI620GPBF

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Specifications of ABB Ekip G Hi-Touch LSIG Emax2 Lastkreisüberwachung 4, 1.6kA
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Last Updated January 18th, 2025 11:28 am

ABB Ekip G Hi-Touch LSIG Emax2 Lastkreisüberwachung 4, 1.6kA

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Panasonic ERJP08,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 100Ω ±1% / 0.66W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERJP08F1000V

66W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse.Panasonic ERJP08,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 100Ω ±1% / 0.

Murata Power Solutions Murata 2200R Induktivität radial, 22 mH, ±10%, 45mA, Radial / R-DC 82.5Ω, max. 0.34MHz, Ø 7.2mm x 10.5mm

5mm, Abmessungen: 7.

Wera VDE PZ2 POZIDRIV® Isolierte Schraubendreherklinge / Klinge 154 mm, VDE 1000V zugelassen: Ja, Oberflächen-Finish: Zinkphosphat, MPN: 05003452001

Wera VDE PZ2 POZIDRIV® Isolierte Schraubendreherklinge / Klinge 154 mm.

Siemens 3KF Sicherungstrennschalter 4-polig, 32A, 4CO, SENTRON, NH00, NH000 Sicherungsgröße, Montageart: DIN-Schiene, Hilfsschalter verfügbar: Ja, Betriebstemperatur max.: +70°C, Betriebstemperatur min.: -25°C, MPN: 3KF1403-0LB11

Siemens 3KF Sicherungstrennschalter 4-polig, 32A, 4CO, SENTRON, NH00, NH000 Sicherungsgröße.

TE Connectivity CRGP Dickschicht SMD-Widerstand 33Ω ±1% / 0.75W ±100ppm/°C, 1210 (3225M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRGP1210F33R

TE Connectivity CRGP Dickschicht SMD-Widerstand 33Ω ±1% / 0.75W ±100ppm/°C, 1210 (3225M) Gehäuse.

Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A 12,5 W, 4-Pin WLCSP, Drain-Source-Widerstand max.: 120 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 8 V, Höhe: 0.16mm, MPN: PMCM4401VNEAZ

Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A 12,5 W, 4-Pin WLCSP.

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 4 A 30 W, 3-Pin TO-220FP, Drain-Source-Widerstand max.: 1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRFI620GPBF

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 4 A 30 W, 3-Pin TO-220FP.

ABB Ekip G Hi-Touch LSIG Emax2 Lastkreisüberwachung 4, 1.6kA, MPN: ABB1SDA072970R1

ABB Ekip G Hi-Touch LSIG Emax2 Lastkreisüberwachung 4, 1.6kA.

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 4 A 30 W, 3-Pin TO-220FP, Drain-Source-Widerstand max.: 1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRFI620GPBF

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 4 A 30 W, 3-Pin TO-220FP.

ABB Ekip G Hi-Touch LSIG Emax2 Lastkreisüberwachung 4, 1.6kA, MPN: ABB1SDA072970R1

6kA.ABB Ekip G Hi-Touch LSIG Emax2 Lastkreisüberwachung 4, 1.