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Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 4 A 30 W, 3-Pin TO-220FP

About The : 1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: +150 °C, MPN: IRFI620GPBF

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 4 A 30 W, 3-Pin TO-220FP, Drain-Source-Widerstand max.: 1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRFI620GPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 4 A 30 W, 3-Pin TO-220FP

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 4 A 30 W, 3-Pin TO-220FP

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Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 4 A 30 W, 3-Pin TO-220FP
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Murata Power Solutions Murata 2200R Induktivität radial, 22 mH, ±10%, 45mA, Radial / R-DC 82.5Ω, max. 0.34MHz, Ø 7.2mm x 10.5mm
    • Wera VDE PZ2 POZIDRIV® Isolierte Schraubendreherklinge / Klinge 154 mm, VDE 1000V zugelassen: Ja, Oberflächen-Finish: Zinkphosphat, MPN: 05003452001
    • Siemens 3KF Sicherungstrennschalter 4-polig, 32A, 4CO, SENTRON, NH00, NH000 Sicherungsgröße, Montageart: DIN-Schiene, Hilfsschalter verfügbar: Ja, Betriebstemperatur max.: +70°C, Betriebstemperatur min.: -25°C, MPN: 3KF1403-0LB11
    • TE Connectivity CRGP Dickschicht SMD-Widerstand 33Ω ±1% / 0.75W ±100ppm/°C, 1210 (3225M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRGP1210F33R
    • TE Connectivity CRGP Dickschicht SMD-Widerstand 33Ω ±1% / 0.75W ±100ppm/°C, 1210 (3225M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRGP1210F33R