onsemi SuperFET II N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 77 A 592 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.87mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FCH041N60E
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Onsemi SuperFET II N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 77 A 592 W, 3-Pin TO-247
Specifications of Onsemi SuperFET II N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 77 A 592 W, 3-Pin TO-247 | |
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