Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 3,6 A 74 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 2,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 4.83mm, Länge: 10.67mm, MPN: SIHFBC30AS-GE3
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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 3,6 A 74 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 3,6 A 74 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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