onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 200 A 110 W, 8-Pin LFPAK8, Drain-Source-Widerstand max.: 2,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: NTMJS1D5N04CLTWG
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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 200 A 110 W, 8-Pin LFPAK8
Specifications of Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 200 A 110 W, 8-Pin LFPAK8 | |
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