Ams OSRAM THT Diode Laserdiode Grün 6,4 V, 520nm / 110mW, 3-Pin

Name: Ams OSRAM THT Diode Laserdiode Grün 6,4 V, 520nm / 110mW, 3-Pin, Senkrechte Strahlendivergenz FWHM: 7.0°, Parallel-Strahlendivergenz: 23.0°, Betriebsstrom Max.: 240mA, Abmessungen: 5.6 (Dia.) X 3.5mm, Durchmesser: 5.6mm, Versorgungsspannung Max.: 6.4V, Serie: PLT, MPN: PLT5 520B :- Ams OSRAM
Brand: ams OSRAM
SKU: ABDU-259159
Price: 27.90 EUR
Availability: InStock

About The ams OSRAM THT Diode Laserdiode Grün 6,4 V, 520nm / 110mW, 3-Pin, Senkrechte Strahlendivergenz FWHM: 7.) x 3

ams OSRAM THT Diode Laserdiode Grün 6,4 V, 520nm / 110mW, 3-Pin, Senkrechte Strahlendivergenz FWHM: 7.0°, Parallel-Strahlendivergenz: 23.0°, Betriebsstrom max.: 240mA, Abmessungen: 5.6 (Dia.) x 3.5mm, Durchmesser: 5.6mm, Versorgungsspannung max.: 6.4V, Serie: PLT, MPN: PLT5 520B

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Explorer Cases Griff, für 7630, 7726, 7745, 10826, 10840, 11413, 13513, 13527, 15416, MUB78, MPN: KIN.0425

Microchip TN2540 N-Kanal, SMD MOSFET 400 V / 260 mA 1,6 W, 3-Pin TO-243AA, Drain-Source-Widerstand max.: 12 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Länge: 4.6mm, MPN: TN2540N8-G

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Specifications of Ams OSRAM THT Diode Laserdiode Grün 6,4 V, 520nm / 110mW, 3-Pin
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Last Updated January 14th, 2025 10:56 am

Ams OSRAM THT Diode Laserdiode Grün 6,4 V, 520nm / 110mW, 3-Pin

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INA Rollenlager Typ Zylindrisch 1-reihig, Innen-Ø 50mm / Außen-Ø 80mm, Breite 23mm, Bohrung Typ: Parallel, Statische Traglast: 94000N, Dynamische Traglast: 88000N, End Typ: Offen, Ermüdungsgrenzbelastung: 15300N, MPN: SL183010-A-XL

INA Rollenlager Typ Zylindrisch 1-reihig, Innen-Ø 50mm / Außen-Ø 80mm, Breite 23mm.

INA Rollenlager Typ Zylindrisch 1-reihig, Innen-Ø 60mm / Außen-Ø 110mm, Breite 28mm, Bohrung Typ: Parallel, Statische Traglast: 176000N, Dynamische Traglast: 169000N, End Typ: Offen, Ermüdungsgrenzbelastung: 33000N, MPN: SL182212-A-XL

INA Rollenlager Typ Zylindrisch 1-reihig, Innen-Ø 60mm / Außen-Ø 110mm, Breite 28mm.

Microchip TN2540 N-Kanal, SMD MOSFET 400 V / 260 mA 1,6 W, 3-Pin TO-243AA, Drain-Source-Widerstand max.: 12 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Länge: 4.6mm, MPN: TN2540N8-G

Microchip TN2540 N-Kanal, SMD MOSFET 400 V / 260 mA 1,6 W, 3-Pin TO-243AA.