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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,2 A 2 W, 6-Pin TSOP-6

About The : 1.Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,2 A 2 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,2 A 2 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 29 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.35V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.35V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3mm, MPN: IRFTS8342TRPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,2 A 2 W, 6-Pin TSOP-6

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,2 A 2 W, 6-Pin TSOP-6

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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,2 A 2 W, 6-Pin TSOP-6
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RS PRO Rundsteckverbinder Buchse 4-polig / 5.0A Einbaumontage, Lötanschluss IP68, Steckergröße: Standard, Kontakt Gender: Buchsenkontakt, Anschlussart: Löten, Gehäuseausrichtung: Gerade, Betriebsspannung: 500,0 V, Verbindungstyp: Gewinde, Gehäusematerial: Nylon, Kontakt-Format: 4P, Kontaktbeschichtung: Gold, Kontaktmaterial: Messing
    • Murata NCU15XH Temperatursensor SMD, 2-Pin, MPN: NCU15XH103F6SRC

    Murata NCU15XH Temperatursensor SMD, 2-Pin, MPN: NCU15XH103F6SRC

    Murata NCU15XH Temperatursensor SMD, 2-Pin.

    • Amphenol FCI Amphenol Sub-D Steckverbinder E Stecker, 9-polig / Raster 2.74mm, Tafelmontage Lötanschluss, Gehäuseausrichtung: Gerade, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 5.0A, Gehäusematerial: Stahl, Betriebsspannung: 1,0 kV, Länge: 30.43mm, Breite: 12.17mm, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Kontaktbeschichtung: Gold über Nickel, MPN: DE09P064HTXLF
    • Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 800 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, MPN: BSP322PH6327XTSA1
    • Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 800 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, MPN: BSP322PH6327XTSA1