onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 191 A 113,6 W, 8-Pin SO-8FL, Drain-Source-Widerstand max.: 3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1V, MPN: NTMFS4833NT1G
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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 191 A 113,6 W, 8-Pin SO-8FL
Specifications of Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 191 A 113,6 W, 8-Pin SO-8FL | |
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