Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 100 A 214 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 6,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.36mm, MPN: IPP037N08N3GXKSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 100 A 214 W, 3-Pin TO-220
Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 100 A 214 W, 3-Pin TO-220 | |
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