STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 255 W, 3-Pin TO-247
About The : 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 15
STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 255 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 15.75mm, MPN: STW48NM60N
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 255 W, 3-Pin TO-247
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Specifications of STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 255 W, 3-Pin TO-247 | |
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