Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 90 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 90 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 2
Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 90 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 2,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Höhe: 2.3mm, MPN: IPD90N03S4L-02
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 90 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 90 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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