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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 355 A 517 W, 3-Pin TO-247

About The : 1,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 355 A 517 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 1,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.87mm, MPN: IRFP7718PBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 355 A 517 W, 3-Pin TO-247

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 355 A 517 W, 3-Pin TO-247

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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 355 A 517 W, 3-Pin TO-247
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RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 11mm / Außen-Ø 15.8mm, Stärke 2.4mm, Betriebstemperatur (min.): -15°C, Betriebstemperatur (max.): +200°C
    • Wurth Elektronik WR-FPC ZIF, SMD FPC-Steckverbinder, Stecker, 45-polig / 1-reihig, Raster 0.5mm, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Montagetyp: Oberflächenmontage, Gender: Male, Kontaktposition: Unterseite, Anschlusstyp: ZIF-Kontakt unten, Gehäuseausrichtung: Horizontal, Nennstrom: 500mA, Betriebsspannung: 250 V ac, Seriennummer: 687, Kontaktbeschichtung: Zinn über Nickel, MPN: 68714514522
    • RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 11.8mm / Außen-Ø 16.6mm, Stärke 2.4mm, Betriebstemperatur (min.): -15°C, Betriebstemperatur (max.): +200°C
    • Schneider Electric ATV930 3-Phasen Drehzahlgeregelter Antrieb 90 kW 690 V / 99,4 A, Zur Verwendung mit: Asynchron- und Synchronmotoren, MPN: ATV930D90Y6
    • Schneider Electric ATV930 3-Phasen Drehzahlgeregelter Antrieb 90 kW 690 V / 99,4 A, Zur Verwendung mit: Asynchron- und Synchronmotoren, MPN: ATV930D90Y6