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ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4 A 1 W, 3-Pin TSMT-3

About The : 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.9mm, Betriebstemperatur max

ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4 A 1 W, 3-Pin TSMT-3, Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: RUR040N02TL

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4 A 1 W, 3-Pin TSMT-3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4 A 1 W, 3-Pin TSMT-3

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ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4 A 1 W, 3-Pin TSMT-3
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