Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 20 A 79 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
About The : 105 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 20 A 79 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 105 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, MPN: IRLU9343PBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 20 A 79 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
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Specifications of Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 20 A 79 W, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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