Vishay EF N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 29 A, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 0,088 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: SiHP105N60EF-GE3
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Vishay EF N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 29 A, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Vishay EF N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 29 A, 3-Pin TO-220AB | |
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