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Onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 960 MW, 6-Pin SOT-23

About The onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 960 mW, 6-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: +150 °C, MPN: FDC6561AN

onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 960 mW, 6-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 152 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDC6561AN

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 960 MW, 6-Pin SOT-23

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Specifications of Onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 960 MW, 6-Pin SOT-23

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Onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 960 MW, 6-Pin SOT-23
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TRACOPOWER THN 30 DC/DC-Wandler 30W 24 V dc IN, 3.3V dc OUT / 7A Durchsteckmontage 1.5kV dc isoliert, Ausgangsspannung: 3.3V dc, Eingangsspannung: 18 → 36 V dc, Isoliert: Ja, Isolationsspannung: 1.5kV dc, Tiefe: 9.9mm, Länge: 25.4mm, Lastausregelung: 0.002, Wirkungsgrad: 87%, Temperatur max.: +85°C, MPN: THN 30-2410
    • RS PRO Kombizange, gebogen Schneidkraft → 2,5 mm 160 mm VDE, VDE 1000V zugelassen: Ja, Material/Stoff: Stahl, Spitzen-Art: Abgewinkelt, Zum Schneiden von: Mittelharter Draht, Kapazität max.: 2.5mm
    • onsemi BC33740BU THT, NPN Transistor 50 V / 800 mA 100 MHz, TO-92 3-Pin, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Verlustleistung max.: 625 mW, Gleichstromverstärkung min.: 60, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 4.58 x 3.86 x 4.58mm
    • onsemi BC546BTA THT, NPN Transistor 65 V / 100 mA 300 MHz, TO-92 3-Pin, Verlustleistung max.: 500 mW, Gleichstromverstärkung min.: 110, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 80 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • onsemi PowerTrench P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,9 A 960 mW, 6-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 270 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDC6306P
    • Tente Drehlager Lenkrolle, Rad ø 200mm, 350kg, Ges H.

    Tente Drehlager Lenkrolle, Rad ø 200mm, 350kg, Ges H.

    50mm, 137 x 105mm, Platte, Polyamid-Material. Tente Drehlager Lenkrolle, Rad ø 200mm, 350kg, Ges H. 240mm, Rad B.

    • onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 960 mW, 6-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 152 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDC6561AN
    • Tente Fest Lenkrolle, Rad ø 160mm, 350kg, Ges H.

    Tente Fest Lenkrolle, Rad ø 160mm, 350kg, Ges H.

    40mm, 115 x 137mm, Platte, Polyamid-Material. 200mm, Rad B.

    • onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 960 mW, 6-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 152 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDC6561AN
    • Tente Fest Lenkrolle, Rad ø 160mm, 350kg, Ges H.

    Tente Fest Lenkrolle, Rad ø 160mm, 350kg, Ges H.

    200mm, Rad B. Tente Fest Lenkrolle, Rad ø 160mm, 350kg, Ges H.40mm, 115 x 137mm, Platte, Polyamid-Material, Bremsen beinhaltet: Nein, Lochabstand: 80 x 105mm, Größe Befestigungslöcher: 11mm, Gewichtsklasse: Raue Einsätze, Nabenlager: Rollenlager, MPN: 3478UOR160P63 200mm, Rad B. 40mm, 115 x 137mm, Platte, Polyamid-Material.