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Onsemi PowerTrench P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,9 A 960 MW, 6-Pin SOT-23

About The 4V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.onsemi PowerTrench P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,9 A 960 mW, 6-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max

onsemi PowerTrench P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,9 A 960 mW, 6-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 270 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDC6306P

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi PowerTrench P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,9 A 960 MW, 6-Pin SOT-23

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Specifications of Onsemi PowerTrench P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,9 A 960 MW, 6-Pin SOT-23

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Onsemi PowerTrench P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,9 A 960 MW, 6-Pin SOT-23
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Camfil Opakfil ES Glasfaser Filterplatte, Typ Kompakter V-Filter, F9, 287 x 592 x 296mm, 8m², Luftdurchsatz max.: 1700m³/h, Anfangsdruckabfall: 90Pa, Enddruckverlust: 450Pa, Farbe: Weiß, Gehäusematerial: ABS, Polypropylen, Höhe (absolut): 287mm, Breite (absolut): 592mm, MPN: 2511.57.5001
    • Nexperia Spannungspegelumsetzer SMD 18 /Chip DHXQFN24, MPN: 74AVC8T245BZX

    Nexperia Spannungspegelumsetzer SMD 18 /Chip DHXQFN24, MPN: 74AVC8T245BZX

    Nexperia Spannungspegelumsetzer SMD 18 /Chip DHXQFN24.

    • Facom 3/8 Zoll Vierkant metrisch/zöllig 12-Punkt Tiefer Steckschlüssel-/Standard-Steckschlüsselsatz 34-teilig, Ratsche im Lieferumfang enthalten: Ja, Satz Inhalt: Verlängerung, Ratsche, Gleitgriff, Buchsen, Kreuzgelenk, MPN: JL.430AMU
    • TRACOPOWER THN 30 DC/DC-Wandler 30W 24 V dc IN, 3.3V dc OUT / 7A Durchsteckmontage 1.5kV dc isoliert, Ausgangsspannung: 3.3V dc, Eingangsspannung: 18 → 36 V dc, Isoliert: Ja, Isolationsspannung: 1.5kV dc, Tiefe: 9.9mm, Länge: 25.4mm, Lastausregelung: 0.002, Wirkungsgrad: 87%, Temperatur max.: +85°C, MPN: THN 30-2410
    • RS PRO Kombizange, gebogen Schneidkraft → 2,5 mm 160 mm VDE, VDE 1000V zugelassen: Ja, Material/Stoff: Stahl, Spitzen-Art: Abgewinkelt, Zum Schneiden von: Mittelharter Draht, Kapazität max.: 2.5mm
    • onsemi BC33740BU THT, NPN Transistor 50 V / 800 mA 100 MHz, TO-92 3-Pin, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Verlustleistung max.: 625 mW, Gleichstromverstärkung min.: 60, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 4.58 x 3.86 x 4.58mm
    • onsemi BC546BTA THT, NPN Transistor 65 V / 100 mA 300 MHz, TO-92 3-Pin, Verlustleistung max.: 500 mW, Gleichstromverstärkung min.: 110, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 80 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • onsemi PowerTrench P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,9 A 960 mW, 6-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 270 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDC6306P
    • onsemi BC546BTA THT, NPN Transistor 65 V / 100 mA 300 MHz, TO-92 3-Pin, Verlustleistung max.: 500 mW, Gleichstromverstärkung min.: 110, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 80 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • onsemi PowerTrench P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,9 A 960 mW, 6-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 270 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDC6306P