Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 67,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0069 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 1 → 2.3V, MPN: SiR882BDP-T1-RE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 67,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
Specifications of Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 67,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |