Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 X 3
About The : 3.: 8,4 mO, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 x 3, Drain-Source-Widerstand max.: 8,4 mO, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IPZ40N04S58R4ATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 X 3
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Specifications of Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 X 3 | |
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