Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 150 V / 105 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0083 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.9V, MPN: IPB083N15N5LFATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 150 V / 105 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 150 V / 105 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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