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Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 125 W, 8-Pin VSONP

About The 1mm, MPN: CSD19531Q5AT.3V, Gate-Schwellenspannung min

Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 125 W, 8-Pin VSONP, Drain-Source-Widerstand max.: 7,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.1mm, MPN: CSD19531Q5AT

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 125 W, 8-Pin VSONP

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Specifications of Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 125 W, 8-Pin VSONP

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CK Federwaage, Auflösung 0,5 kg, Wägebereich 30kg metrisch, Zoll: Ja, MPN: T6202 066

CK Federwaage, Auflösung 0,5 kg, Wägebereich 30kg metrisch, Zoll: Ja, MPN: T6202 066

CK Federwaage, Auflösung 0,5 kg, Wägebereich 30kg metrisch.

    • TDK, CGA, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 1μF ±10% / 100V dc, Gehäuse 1206 (3216M), Kapazität: 1µF, Spannung: 100V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 3.2 x 1.6 x 1.6mm, Länge: 3.2mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Entstörklasse: Class II, Anschlussklemmentyp: Lot, MPN: CGA5L2X7R2A105K160AA
    • Novotechnik LWH Positionssensor Potenziometer, Spannungsteiler, Distrelec Product Id: 16490454, MPN: LWH-0900
    • Eaton Trennschalter 4-polig 25A SMD IP 65 11kW, MPN: 197351 P1-25/SE1/SVB-SW/N
    • Eaton Trennschalter 3-polig 25A SMD IP 65 11kW, MPN: 197350 P1-25/SE1/SVB-SW/HI11
    • Taoglas 2G / GSM/GPRS, 3G / UTMS, 4G / LTE Multiband-Antenne, Extern, 600 bis 6.000 MHz, SMA, 7.3dBi, 1m, HF-Protokolle: 2G (GSM/GPRS), 3G (UTMS), 4G (LTE) 5G (LTE), Bluetooth (BLE), GPS ISM-Band, LoRaWAN, WLAN, WLAN (Dualband), Montageart Antenne: Schraube, Serie: MA114, Distrelec Product Id: 30260912, MPN: MA114.B.LB.001
    • Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 125 W, 8-Pin VSONP, Drain-Source-Widerstand max.: 7,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.1mm, MPN: CSD19531Q5AT
    • Taoglas 2G / GSM/GPRS, 3G / UTMS, 4G / LTE Multiband-Antenne, Extern, 600 bis 6.000 MHz, SMA-Stecker, 6.4dBi, 3m, HF-Protokolle: 2G (GSM/GPRS), 3G (UTMS), 4G (LTE) 5G (LTE), Bluetooth (BLE), GPS ISM-Band, LoRaWAN, WLAN, WLAN (Dualband), Montageart Antenne: Schraube, Serie: Monsoon, Distrelec Product Id: 30285182, MPN: MA170.A.BI.001
    • Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 125 W, 8-Pin VSONP, Drain-Source-Widerstand max.: 7,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.1mm, MPN: CSD19531Q5AT
    • Taoglas 2G / GSM/GPRS, 3G / UTMS, 4G / LTE Multiband-Antenne, Extern, 600 bis 6.000 MHz, SMA-Stecker, 6.4dBi, 3m, HF-Protokolle: 2G (GSM/GPRS), 3G (UTMS), 4G (LTE) 5G (LTE), Bluetooth (BLE), GPS ISM-Band, LoRaWAN, WLAN, WLAN (Dualband), Montageart Antenne: Schraube, Serie: Monsoon, Distrelec Product Id: 30285182, MPN: MA170.A.BI.001