Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2 A 400 MW, 3-Pin SOT-23
About The .: 120 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2 A 400 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 120 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: NX2301P
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2 A 400 MW, 3-Pin SOT-23
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Specifications of Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2 A 400 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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