IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 32 A 1 kW, 3-Pin PLUS247, Drain-Source-Widerstand max.: 270 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.13mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXFX32N80Q3
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IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 32 A 1 KW, 3-Pin PLUS247
Specifications of IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 32 A 1 KW, 3-Pin PLUS247 | |
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