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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRLR2905TRLPBF

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,027 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRLR2905TRLPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
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