onsemi QFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1 A 2 W, 3-Pin SOT-223, Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 1,05 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 1.6mm, Länge: 6.5mm, MPN: FQT5P10TF
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Onsemi QFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1 A 2 W, 3-Pin SOT-223
Specifications of Onsemi QFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1 A 2 W, 3-Pin SOT-223 | |
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