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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,6 A, 8-Pin SO-8

About The : 0,029 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.7V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF7311TRPBF

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,6 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,029 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.7V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF7311TRPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,6 A, 8-Pin SO-8

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,6 A, 8-Pin SO-8

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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,6 A, 8-Pin SO-8
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ABB SCHUETZ AF185-30-22 100-250V AC/DC, MPN: 1SFL497001R7022

ABB SCHUETZ AF185-30-22 100-250V AC/DC, MPN: 1SFL497001R7022

ABB SCHUETZ AF185-30-22 100-250V AC/DC.

    • ABB SCHUETZ AF185-30-22 20-60VDC, MPN: 1SFL497001R7222
    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 55 A, 7-Pin DirectFET ISOMETRISCH, MPN: IRF6668TRPBF

    Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 55 A, 7-Pin DirectFET ISOMETRISCH, MPN: IRF6668TRPBF

    Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 55 A, 7-Pin DirectFET ISOMETRISCH.

    • ABB SCHUETZ A 210-30-22 400-415/50 480/60 Hz, MPN: 1SFL511001R5122

    ABB SCHUETZ A 210-30-22 400-415/50 480/60 Hz, MPN: 1SFL511001R5122

    ABB SCHUETZ A 210-30-22 400-415/50 480/60 Hz.

    • Staubli Stäubli 4 mm Bananenbuchse Schwarz, Kontakt vergoldet, 1000V / 24A, Federkontakt: Ja, Länge: 35.5mm, Kontaktmaterial: Messing, Isoliermaterial: Polyamid, MPN: 23.3010-21
    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 19 A, 7-Pin DirectFET ISOMETRISCH, MPN: IRF6785MTRPBF

    Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 19 A, 7-Pin DirectFET ISOMETRISCH, MPN: IRF6785MTRPBF

    Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 19 A, 7-Pin DirectFET ISOMETRISCH.

    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,6 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,029 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.7V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF7311TRPBF
    • Nexperia PDTC124XQB-QZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1110D-3

    Nexperia PDTC124XQB-QZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1110D-3

    Nexperia PDTC124XQB-QZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1110D-3.

    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,6 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,029 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.7V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF7311TRPBF
    • Nexperia PDTC124XQB-QZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1110D-3

    Nexperia PDTC124XQB-QZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1110D-3

    Nexperia PDTC124XQB-QZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1110D-3.