onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 5,7 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 690 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FQD7P20TM
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Onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 5,7 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 5,7 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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