Toshiba TK N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11,5 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 340 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TK12P60W,RVQ(S
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Toshiba TK N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11,5 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Toshiba TK N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11,5 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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