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TDK MLF2012 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 560 NH 150mA Mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 210MHz

About The 85mm, Tiefe: 1.: 25, Gleichstromwiderstand max

TDK MLF2012 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 560 nH 150mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 210MHz, Qualitätsfaktor min.: 25, Gleichstromwiderstand max.: 550mΩ, Abmessungen: 2 x 1.25 x 0.85mm, Tiefe: 1.25mm, Betriebstemperatur max.: +85°C, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, MPN: MLF2012DR56KT000

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

TDK MLF2012 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 560 NH 150mA Mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 210MHz

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Specifications of TDK MLF2012 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 560 NH 150mA Mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 210MHz

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