Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,3 A 32 W, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.65mm, MPN: SPA07N60C3XKSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,3 A 32 W, 3-Pin TO-220 FP
Specifications of Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,3 A 32 W, 3-Pin TO-220 FP | |
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