STMicroelectronics STB37N60 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 28 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,094 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.9V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: SiC, MPN: STB37N60DM2AG
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STMicroelectronics STB37N60 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 28 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of STMicroelectronics STB37N60 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 28 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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