ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR 8μs, 750nm → 1120nm, 2-Pin Obere LED, Fallzeit typ.: 8µs, Dunkelstrom max.: 50nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: ± 60°, Abmessungen: 3.4 x 3 x 1.92mm, Kollektorstrom: 15mA, Empfindlichkeit im Spektralbereich: 750 → 1120 nm, Kollektor-Emitter-Spannung: 35 V, MPN: SFH 320 FA-Z
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Ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR 8μs, 750nm → 1120nm, 2-Pin Obere LED
Specifications of Ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR 8μs, 750nm → 1120nm, 2-Pin Obere LED | |
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