Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 30 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Name: Infineon: Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 30 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand Max.: 75 MΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung Max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur Max.: +175 °C, MPN: SPD30P06P G
Brand: Infineon
SKU: ABDU-304969
Price: 14.13 EUR
Availability: InStock

About The Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 30 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 75 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 30 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 75 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: SPD30P06P G

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Specifications of Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 30 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Last Updated January 19th, 2025 07:13 am

Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 30 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 30 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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