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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 330 A 167 W, 8-Pin LFPAK8

About The onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 330 A 167 W, 8-Pin LFPAK8, Drain-Source-Widerstand max.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 330 A 167 W, 8-Pin LFPAK8, Drain-Source-Widerstand max.: 1,2 m Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, MPN: NTMJS0D9N04CLTWG

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 330 A 167 W, 8-Pin LFPAK8

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Specifications of Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 330 A 167 W, 8-Pin LFPAK8

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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 330 A 167 W, 8-Pin LFPAK8
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RS PRO O-Ring Nitrilkautschuk, Innen-Ø 29mm / Außen-Ø 37mm, Stärke 4mm, Betriebstemperatur (min.): -30°C, Betriebstemperatur (max.): +90°C
    • Nabic Valve Safety Products Nabic Valve Bronze Überdruckventil BSP3/4 Buchse, max.
    • Jabra Engage 50 II On-Ear-Headset USB Schwarz Verdrahtet, Distrelec Product Id: 30378983, MPN: 5099-610-279
    • Infineon IGBT / 7,5 A 20V max., 600 V 6,8 W PG-SOT223-3, MPN: IKN04N60RC2ATMA1

    Infineon IGBT / 7,5 A 20V max., 600 V 6,8 W PG-SOT223-3, MPN: IKN04N60RC2ATMA1

    , 600 V 6,8 W PG-SOT223-3.Infineon IGBT / 7,5 A 20V max.

    • Bourns SRN5040 Drosselspule, 33 μH 1.2A mit Ferrit-Kern 5mm / ±20%, Höhe: 4mm, Abmessungen: 5 x 5 x 4mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 216mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: SRN5040-330M
    • OPTIBELT Gummi Zahnriemen 300 Zähne, Teilung 8mm, Maße 20mm x 2400mm, MPN: 2400 8M 20

    OPTIBELT Gummi Zahnriemen 300 Zähne, Teilung 8mm, Maße 20mm x 2400mm, MPN: 2400 8M 20

    OPTIBELT Gummi Zahnriemen 300 Zähne, Teilung 8mm, Maße 20mm x 2400mm.

    • onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 330 A 167 W, 8-Pin LFPAK8, Drain-Source-Widerstand max.: 1,2 m Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, MPN: NTMJS0D9N04CLTWG
    • Allen Bradley 800F Drucktastenkopf Ø 22mm, Schwarz Tastend Rund, IP65, IP Schutzart: IP 65, MPN: 800FP-E2

    Allen Bradley 800F Drucktastenkopf Ø 22mm, Schwarz Tastend Rund, IP65, IP Schutzart: IP 65, MPN: 800FP-E2

    Allen Bradley 800F Drucktastenkopf Ø 22mm, Schwarz Tastend Rund, IP65.

    • onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 330 A 167 W, 8-Pin LFPAK8, Drain-Source-Widerstand max.: 1,2 m Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, MPN: NTMJS0D9N04CLTWG
    • Allen Bradley 800F Drucktastenkopf Ø 22mm, Schwarz Tastend Rund, IP65, IP Schutzart: IP 65, MPN: 800FP-E2

    Allen Bradley 800F Drucktastenkopf Ø 22mm, Schwarz Tastend Rund, IP65, IP Schutzart: IP 65, MPN: 800FP-E2

    Allen Bradley 800F Drucktastenkopf Ø 22mm, Schwarz Tastend Rund, IP65.